Samsung začal vyrábať čipy s 3 nm technológiu už počas minulého mesiaca. 3 nm Gate-All-Around (GAA) čipy boli podľa slov webu GSMArena prvýkrát odoslané ku klientom. Juhokórejský gigant túto významnú udalosť oslávil ceremóniou.
Samsung oslávil prvé dodávky 3 nm čipov vo veľkom
Na ceremónii sa zúčastnilo 100 ľudí, a to vrátane zamestnancov spoločnosti a tých najvyššie postavených osôb podnikov, ktoré majú v záujme použiť najmodernejšie technológie od Samsungu. Nechýbal ani Lee Chang-yang, minister obchodu, priemyslu a energetiky, ktorý prisľúbil podporu polovodičovému priemyslu krajiny.
Samsung začal výskum GAA tranzistorov už v skorých nultých rokoch 21. storočia a s návrhom začal experimentovať v roku 2017. Až teraz je však táto technológia pripravená na masovú produkciu. V porovnaní s FinFET tranzistormi, ktoré predstavovali dlhoročný štandard, Gate-All-Around tranzistory povoľujú prechod vyšších prúdov pri zachovaní relatívne malých rozmerov.
GAA čipsety budú menej energeticky náročné a rýchlejšie
Podľa slov tohto juhokórejského giganta, 3 nm GAA čipy budú využívať o 45 percent menej energie, pričom majú byť o 23 percent rýchlejšie a o 16 percent menšie pri porovnaní s 5 nm FinFET čipmi. Keďže ide o prvú generáciu, tá druhá bude s veľkou pravdepodobnosťou ešte efektívnejšia, rýchlejšia a výsledné produkty budú fyzicky menšie.
Na záver spomenieme, že TSMC taktiež plánuje zahájiť masovú výrobu 3 nm čipov, avšak využitý bude stále FinFET dizajn. Prechod na GAAFET sa v prípade tohto výrobcu očakáva až neskôr spolu s nástupom 2 nm výrobného procesu.
