Samsung na svojej stránke news.samsung.com oficiálne oznámil zahájenie výroby čipom s 3 nm výrobným procesom. Technológia je postavená na novej GAA (Gate-All-Around) tranzistorovej architektúre. Ide o pokrok z predošlého typu FinFET.
3 nm čipy od spoločnosti Samsung ponúknu množstvo vylepšení
V porovnaní s 5 nm procesom, prvá generácia 3 nm procesorov juhokórejského giganta Samsung má priniesť 23-percentné zlepšenie v oblasti výkonu, pričom sa má energetická náročnosť znížiť až o 45 percent. Samotný čip má byť fyzicky o 16 percent menší. Máme informácie aj o 3 nm čipsetom druhej generácie od Samsungu. Tie majú byť podľa portálu GSMArena v porovnaní s 5 nm procesormi až o 50 percent energeticky menej náročné, o 30 percent výkonnejšie a o budú sa vyznačovať o 35 percent menšími rozmermi.
Gate-All-Around (GAA) tranzistory sa údajne majú vyznačovať menšími rozmermi, pričom sa zachovajú ich elektrické vlastnosti. Trochu dávnejšie sme písali o tom, že TSMC sa pripravuje na 3 nm výrobu. Táto spoločnosť však masovú výrobu plánuje podstatne neskôr, takže Samsung má v tomto smere značnú výhodu.
Web Živé.sk píše, že Samsung s progresívnejšou výrobou adoptuje i technológiu, známu ako “Nanosheet”. Ide v krátkosti o evolúciu GAA tranzistorov s hradlom obopínajúcim všetky štyri strany kanálu. Živé.sk dodáva, že v konečnom dôsledku sa tak dočkáme vyššieho výkonu, ako aj zlepšenej energetickej efektivity. TSMC má technológiu Nanosheet nasadiť s 2 nm výrobnou technológiou až po začiatku roka 2024. Od tej doby by sme sa mohli dočkať veľkých pokrokov, pokiaľ ide o procesory a ich vlastnosti.
