Známy zdroj uniknutých informácií @evleaks zverejnil na sociálnej sieti Twitter tlačovú správu, ktorá bude sprevádzať predstavenie nového procesoru Snapdragon 835. Vďaka tomu teraz vieme už prakticky všetko o tom, čo tento dlho očakávaný čip ponúkne a na aké vylepšenia sa môžeme tešiť.
Jednou z najdôležitejších noviniek bude určite dlhšia výdrž batérie. Ide o prvý čip spoločnosti vyrobený 10-nanometrovou technológiou. Snapdragon 835 by tak mal byť o 27 % výkonnejší a zároveň spotrebovať až o 40 % menej energie ako súčasná generácia procesorov. To je skutočne obrovské zlepšenie a už teraz sa tešíme na to, ako sa to prejaví na každodennom používaní zariadení. Tešiť sa môžeme aj na technológiu Quick Charge 4, ktorá by mala v priebehu 5 minút dodať telefónu až 5 hodín fungovania. Okrem toho ale nový čip ponúkne aj o 25 % výkonnejšiu grafiku Adreno 540. Tá bude slúžiť lepšie s virtuálnou realitou, ale postará sa aj o lepší zážitok pri fotografovaní.
Tu pomôže aj nový signálny procesor. Zlepšiť by sa mala stabilizácia a zoom a aj rýchlosť zaostrovania. Čip bude podporovať dual-pixel technológiu, zlepšený hybridný autofokus a natívne zvládne aj kombináciu viacerých obrázkov pre zlepšenie ostrosti, zníženie šumu a používanie vylepšeného HDR efektu. Skrátka, nový čip zrejme prinesie skutočne zásadné zmeny a vylepšenia. Očakávame, že ho vo svojich vlajkových lodiach v tomto roku použije väčšina výrobcov, aj keď Qualcomm žiaden zoznam podporovaných zariadení zatiaľ nepredstavil.
Zdroj: Evan Blass (Twit Longer) via engadget
A čo Exynos,o ňom žiadne informácie?
Bude to to isté. len to bude mať iný názov. Keďže oba procesory bude vyrábať Samsung.
10nm je uz riadne pri hranici s tym co je este mozne. Blizime sa zaciatku konca konvencnych tranzistorov z silikonu.
Kremika si asi myslel? Ak robis cip zo silikonu tak na 10nm si asi uz naozaj dosiel :D
Silicon je kremik anglicky a Jefficko ma pravdu. Sme uz takmer na limite krystalickej mriezky.
Vyzera to tak, ze tych 10nm bude maximum. Mozu este skusit 7nm technologiu, ale aj keby to vyslo, tak to je pri planarnej technologii konecna. Buducnost patri 3D FinFET technologii, pri ktorej sa da pracovat s mensimi rozmermi tranzistorov (na rovnakej ploche sa ich zmesti omnoho viac). Vhodnym materialom namiesto Si by mohol byt InGaAs, mozno nieco ine. Uvidime casom :)
Čísla pekné, ale to je tak všetko. Vývojári by museli písať perfektne optimalizovaný kód, aby mali tieto čísla niečo spoločné s realitou. Avšak v dnešnej dobe prebytočného výkonu a rôznorodých nástrojov na “vývoj” aplikácií je to čistá utópia.
Mám tu LG G2 z roku 2013 a SGS7 z roku 2016. Papierovo majú všetky komponenty v SGS7 nižšiu spotrebu a vyšší výkon, teda vyššiu účinnosť. V skutočnosti vydrží SGS7 na jedno nabitie len o pár hodín viac ako LG G2. Podotýkam, že LG G2 má “nový” cca 6 mesačný akumulátor. A pri dlhodobejšom hraní SkyForce Reloaded sa pocitovo prehrieva SGS7 viac než LG G2.
Ako nic v zlom ale stale novsie procaky su uspornejsie ako ich predchodcovia o 10,20,30 percent ale v reale stale tie fony vydrzia den max dva na bateriach s obdobnou kapacitou tak kde je potom ta uspora? Evodentne tak max na papieri
niečo na tých percentách bude, kedysi v začiatkoch keď som mal 3 hodiny sot bol som frajer, dnes nieje problém 4 – 5 podľa situácie, hlavne na MI5 bola super baterka.
Zober si take sony z1 nieje problem 5 hod Sot 2dni bez nabijania niebol tiez problem. Na optimalizovanej z1c s cm13 som behal za pokemonmi cca 5hodin bez dobitia a to su stare neefektívne sd 800