Samsung oznámil masovú produkciu vlastných 4 GB DDR3 pamäťových modulov, vyrobených 20 nm výrobným procesom priamo vo fabrikách spoločnosti. Juhokórejský výrobca uvádza, že takto vyrobené pamäte sú o 25% energeticky efektívnejšie než ich DDR3 ekvivalenty vyrobené 25 nm procesom. Pamäte sú určené pre širokú škálu využitia v elektronických zariadeniach vrátane počítačového a mobilného trhu.
Samsung vysvetľuje, že každá bunka DRAM pamäte sa skladá z prepojeného kondenzátora a tranzistora, vďaka čomu je škálovanie oveľa náročnejšie, než u NAND flash pamätiach, kde každú bunku tvorí len tranzistor. Spoločnosť musela zlepšiť svoje konštrukčné a výrobné technológie a prišla s upraveným dvojitým vzorovaním a upravenou depozíciou atómovej vrstvy. Použitie nových technológií tiež umožnilo zlepšiť produktivitu, ktorá je o 30% vyššia než v prípade 25 nm ekvivalentu.
O 4 GB pamätiach v spojení s mobilnými zariadeniami si povráva už nejaký čas. Výrobcovia mobilných zariadení (high-end) v súčastnosti využívajú 2 – 3 GB pamäte a vzhľadom na novú správu môžeme očakávať príchod budúcich modelov smartfónov alebo tabletov s ešte vyššou RAM. Ak bude Samsung pokračovať vo svojom trende, 4GB pamäť prinesie zrejme nový model tabletofónu Galaxy Note 4. Otázne už však zostáva jej využitie. Myslíte, že smartfóny potrebujú takú veľkú kapacitu RAM ?
Zdroj: Samsung
