Spoločnosť Samsung dnes oznámila spustenie masovej výroby priemyselne prvých trojrozmerných (3D) “Vertikálnych NAND” (V-NAND) flash pamätí, ktoré prekonávajú aktuálne merítka limitu pre existujúce NAND flash technológie. Nové pamäte budú použité pre širokú škálu spotrebnej elektroniky a podnikových aplikácií, vrátane zabudovaných pamätí a SSD (Solid State Drive) diskov.
Konvenčné flash pamäte doposiaľ využívali planárne (rovinné) štruktúry, no ako technológie výrobných procesov napredovali až do triedy 10 nm a dokonca aj mimo nej, začínali vznikať rôzne limitácie, akou je napríklad medzibunkové rušenie. Samsungu sa podarilo vytvoriť štruktúru a nový výrobný proces, ktorý umožňuje vertikálne hromadenie planárnych vrstiev do 3D štruktúry – veľkosť až 24 vrstiev. Výsledné čipy tak podľa spoločnosti Sasmsung získali lepšiu spoľahlivosť a väčšiu rýchlosť. Prvé V-NAND čipy sú 2-10 krát spoľahlivejšie a majú dvojnásobne vyššiu rýchlosť pri zápise v porovnaní so súčasnými 10 nm flash pamäťami.
Zdroj: androidcentral
