IBM a Samsung spolupracujú pri vývoji novej technológii čipov. Nová vertikálna architektúra by tak mohla viesť až k týždňovej výdrži smartfónov. To by znamenalo návrat k výdrži, akú mali tlačidlové telefóny z pred viac než dekády. Správu priniesol portál The Verge.
IBM a Samsung dizajnujú novú generáciu čipov
Nový dizajn hovorí o ukladaní tranzistorov vertikálne na seba, miesto plochého súčasného dizajnu. Preto má táto technológia dostať aj názov VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors, kým súčasná sa nazýva FinFET (Fin Field Effect Transistor). Táto technológia zaručí hustejšie usporiadanie tranzistorov na čipe. Prúd by tak prechádzal zhora nadol a opačne, miesto horizontálneho toku, ktorý má dnes.
Kým od dostupných VTFET čipov sme ešte roky ďaleko, výrobcovia IBM a Samsung majú na túto technológiu silno optimistický pohľad. Podľa nich zvýši nová technológia výkon až dvojnásobne a zníži spotrebu energie až o 85 %, v porovnaní s FinFET dizajnom. Tým pádom bude v platnosti aj naďalej Moorov zákon, ktorý tvrdí, že počet tranzistorov sa bude navyšovať aj v budúcnosti.
Taktiež by sme sa mali dočkať mobilných telefónov, ktoré budeme nabíjať raz za týždeň, miesto takmer každého dňa. Malo by to však aj ďalšie účinky: ťaženie kryptomien by bolo menej nákladné, rovnako tak aj šifrovanie dát a dočkali by sme sa aj výkonnejších IoT zariadení.
Intel v lete ukázal svoju vlastnú technológiu – RibbonFET. Tú by sme mali vidieť už v roku 2024 v bežných procesoroch pre stolné počítače a notebooky.
