Rýchlosť mobilných zariadení dnes už nezáleží len od použitého typu procesora, ale aj ďalších komponentov. Hoci používatelia sa väčšinou dívajú práve na údaj o použitom čipe a kapacite RAM či internej pamäte, tak zabúdajú na jednu podstatnú vec. Nie je totižto RAM ako RAM, čo platí aj o internej pamäti. Výrobcovia totižto v snahe ušetriť, častokrát používajú pomalšie komponenty, ktoré síce na papieri vyzerajú dobre, no v reáli neposkytujú až tak vysoký výkon. To však nemá byť prípadom vlajkovej lode spoločnosti Samsung, ktorá má v novom Galaxy S8 použiť nový typ flash pamäte UFS 2.1. Chýbať nebude ani 8 GB pamäť RAM, ktorú si Samsung zrejme vyrobí vo svojich fabrikách 10 nm výrobným procesom.
Samsung Galaxy S8 a jeho interná pamäť by teda podľa najnovších informácií mala zvýšiť svoju aktuálnu rýchlosť, a to až na teoretické maximum 1,2 GBps či 2,4 GBps. Presné detaily o použitých pamätiach nie sú známe a zatiaľ sa o nich len špekuluje. Každopádne je isté, že juhokórejský výrobca nový S8 rýchlejšími a energeticky úspornejšími pamäťami určite vybaví. Nástupca populárnej línie smartfónov Galaxy S by mal inak disponovať výkonným procesorom Snapdragon 835, 5,1 alebo 5,5-palcovým qHD displejom s minimálnym rámikom (pri verzii Plus sa dokonca hovorí o možnosti použitia 6″ zobrazovacieho panelu), či najnovším štandardom Bluetooth 5.0. Už samozrejmosťou má byť aj Android Nougat, spoľahlivejší snímač odtlačkov prstov, či nový dizajn, ktorý sa zbaví domovského tlačidla Home.
Dátum predstavenia novej vlajkovej lode je tiež predmetom špekulácií. Podľa tých najnovších však Samsung novinku zrejme nestihne uviesť na výstave MWC koncom februára, ale až v apríli na vlastnej akcii.
Zdroj: gizmochina
