MojAndroid

Spoločnosti Intel a Micron predstavili na utorkovej tlačovej konferencii nový typ pamätí, ktoré budú predstavovať základ budúcich pamäťových modulov pre SSD disky, super počítače, ako aj smartfóny a ďalšie zariadenia. Nové čipy 3D XPoint sú označované za revolučné a predstavujú prielom vo vývoji mainstreamových pamätí, ktoré sa na trhu objavovali od roku 1989.

Intel v nových čipoch nahradil tradičné tranzistory, ktoré tvoria jadro dnešných moderných pamätí. Namiesto nich použil materiál, ktorý dokáže meniť svoje fyzikálne vlastnosti, a to tak, aby elektrickému prúdu kládol malý alebo veľký odpor, čím sa reprezentuje logická 1 alebo 0. Spoločnosť Intel ale vyššie prenosové rýchlosti dosiahla aj novou architektúrou pamätí, ktoré sú teraz vyrábané vo vrstvách s 3D krížovým vzorom tak, ako to môžete vidieť aj na obrázku nižšie. To umožňuje adresovať jednotlivé pamäťové bunky a nielen celé bloky, ako to je u tradičných pamätí. Vďaka tomu bolo možné dosiahnuť prenosové rýchlosti až 1000-násobne vyššie ako dosahujú dnešné NAND pamäte, pričom životnosť sa predĺžila tiež 1000-násobne.

crosspoint_structure_image_for_photo_capsule_highres

Nové pamäte budú v počítačovom, ale aj mobilnom priemysle znamenať ďalšie zvyšovanie výkonu a rýchlosti. Dnes je jedným z najväčších nedostatkov práve rýchlosť, akou procesor musí získavať dáta z hard disku. A práve to vyriešia nové pamäte.

"Táto nová trieda pamätí je vyrobená revolučnou technológiou, ktorá umožňuje rýchly prístup k rozsiahlych dátových súborom a umožňuje použitie v úplne nových aplikáciách," povedal Mark Adams, prezident spoločnosti Micron.

Spoločnosť Intel údajne už začala aj s výrobou pamätí, zatiaľ však nie je známe, kedy sa dostanú do komerčne dostupných zariadení. Využitie by spočiatku mohli nájsť najmä pri spracovaní veľkého množstva dát, pri sledovaní dát v reálnom čase, či pri diagnostike a sledovaní chorôb.

3D+XPoint+Wafer+Close-Up_1000

Zdroj: Intel 

29.7.2015

Pravidlá diskusie

Portál MojAndroid.sk si vyhradzuje právo zmazať neslušné, rasistické a vulgárne príspevky, ako aj osobné útoky na redakciu, či diskutérov v komentároch pod článkom bez ďalšieho upozornenia. V prípade uverejňovania odkazov na externé stránky, je komentár automaticky preposlaný do redakcie na schválenie.

24 odpovedí na “Nové 3D pamäte od Intelu sú 1000x rýchlejšie ako bežné úložiská”

    • Tak sa mi zdá, že si to nedočítal. Intel nepoužíva žiadne NAND, ale našiel materiál, ktorý vie meniť svoj odpor.
      Intel nepoužíva žiadne tranzistory, čiže z toho vyplýva aj tá vyššia životnosť a to “3D” znamená, že ten materiál (tipujem, že základom je uhlík) sa pri výrobe ukladá do výšky a nie do šírky.

      • No ja som si hlavne precital originalnu spravu od Intelu, pretoze tu si redaktori radi vymyslaju. Napriklad tato veta v originalnej sprave vobec nie je:

        “…Intel v nových čipoch nahradil tradičné tranzistory, ktoré tvoria jadro
        dnešných moderných pamätí. Namiesto nich použil materiál, ktorý dokáže
        meniť svoje fyzikálne vlastnosti, a to tak, aby elektrickému prúdu
        kládol malý alebo veľký odpor, čím sa reprezentuje logická 1 alebo 0…”

        Ale mozno Fero vie viac, ako Intel a Micron dokopy! :-D

        Mimochodom, aj k tym porovnaniam rychlosti a zivotnosti Intel pise:
        “…based on comparison between 3D XPoint technology and other industry NAND…”
        Nemusim ti vysvetlovat co znamena to “other”, vsak? ;-)

        • SimSon, skús si prečítať túto vetu (zdroj: theverge)The new architecture does without transistors entirely, relying on a bulk material property change to switch bits from a low-resistance to a high-resistance state.” takže tranzistory nie sú v pamäťových bunkách použité. Jednotlivé bity sú reprezentované vysokým alebo nízkym odporom. A áno, však s niečim sa to porovnávať musí, že.

          • Este raz, a uz fakt naposledy:

            Ja sa drzim tlacovej spravy ktoru zverejnil INTEL (pod clankom je na nu link), nie nepodlozenych spekulacii ktore rozputali niektore weby (ako napriklad tento). Myslim si totiz, ze Intel & Micron vedia asi najlepsie, co vyvinuli…

            BTW, fakt neviete co znamena to “other”? ;-)

            • My sme rozšírili svoje obzory a zisťovali aj inde, viaceré zdroje uvádzajú, že ide o materiál, ktorý mení svoju rezistivitu, Intel ani Micron ho bližšie nešpecifikovali. K tvojím ďalším pripomienkam sa asi už nemá zmysel vyjadrovať. Len podpichuješ a hľadáš ako čo ohejtovať :)

              • Aha, cize vase “ine zdroje” (samozrejme len uplnou nahodou z radov novinarov) vedia viac o praci Intelu a Micronu, ako Intel a Micron? Zaujimave! Preco potom nekonkuruju Intelu a nevyvinu si pamate sami? Jaj aha, ono asi “vyvinut” nieco redaktorom na papieri je ovela jednoduchsie, ako v realite…. :-D

                Seriozny technologicky web sa zvykne drzat faktov, a nie nicim nepodlozenych spekulacii. Na druhej strane bulvarne orientovane platky si vymyslaju velmi casto rozne bombasticke vyhlasenia. Je samozrejme na vas, do ktorej kategorie informativnej zurnalistiky sa hodlate zaradit…

                • Nikto netvrdí, že vyvraciame informácie, ktoré podal Intel alebo Micron, len sa snažíme vysvetliť bežným ľuďom, ako nové pamäte fungujú. Ak informácie z portálov, ako je The Verge, považuješ za “nepodložené špekulácie”, tak potom ti viac k tejto téme nemám čo povedať. Tvojou snahou je akýmkoľvek spôsobom dehonestovať našu prácu, nemá zmysel ti ďalej čokoľvek vysvetľovať. Tvoje ďalšie bezpredmetné a urážlivé komentáre budeme už mazať.

                  • Aha, cize ked niekto upozorni na nezmysly vo vasich clankoch, tak (cit.) “dehonestuje” vasu pracu? To je typicka reakcia bulvarneho redaktora. Ze klesnete az na taku uroven, to by som do vas fakt nepovedal…

                    Pre mna je rozhodne doveryhodnejsie to, co napise Intel & Micron (firmy ktore tuto technologiu vyvinuli), nez akysi web “the verge”, ktory ziadne pamate nevyraba.

                    A ked Intel porovnava 3D XPoint technology s INYMI NAND PAMATAMI, verim skor im ze ide o novu verziu nand-pamati, nez vam (a “the verge”) ze ide o pamate na baze odporov.

                    • SimSon a aké nezmysly? Tvoje argumenty, typu “Pre mňa”, “Ja si myslím”, nie sú pre mňa dôvodom, aby som niečo v článku zmenil. Ale myslím, že si proste nevieš priznať, že si sa zmýlil, ale tak čo už :). Ešte k tomu porovnávaniu, s čím iným by Intel asi tak mal porovnávať novú technológiu, ak nie s tou starou?

                    • Žijem v UK už skoro 10 rokov, no tvoju interpretáciu originálnej tlačovej správy akosi nechápem (Práve som ju dočítal) . Okrem toho som študoval elektrotechniku a viem, že teoreticky existujú tri druhy základných komponent. Kapacitor, rezistor a memristor. Práve posledne menovaný bol až donedávna len teoretický, kedže ho nevedel nikto reálne (2008 HP) vyrobiť. Ref.: https://sk.m.wikipedia.org/wiki/Memristor
                      Jeho funkciou je zmena odporu na základe smeru a množstva pretečeného prúdu a jeho uchovanie aj po odpojení. To je dôvodom prečo táto nová technológia od Intelu a Micronu nepotrebuje tranzistorovú logiku a teda ani nie je novou variantou NAND technológie (NAND je len technologická simulácia funkcie memristoru pomocou mostíkového zapojenia tranzistorov kvôli nemožnosti vytvoriť memristor litografickou technikou na kremíkovom substráte) a preto ani nevidím rozpor v pôvodnom článku redakcie.

                    • oprava 4 prvky, 3 zákadné sú RLC, odpor, cievka, kondenzátor až 4. je memristor

                    • Pravda. Už je to nejaká doba čo som maturoval :-)

                • Intel ti nikdy neprezradi ako funguje jeho nepredstavena novinka. Ale rozne spionaze a uniky informacii prezradia viac a presnejsie. Myslim ze inteligentny clovek musi toto pochopit a aj preco…

                  @mobile

  1. pre tých ktorí nevedia o čo sa jedná by som odporučil na portál ziv€.cz a do vyhľadávania si zadajte “memristor” myslím že tam sa dozviete všetko podstatné pre pochopenie tejto technológie

Pridaj komentár

+